[发明专利]曝光装置及曝光方法、以及元件制造方法有效
| 申请号: | 200580017162.5 | 申请日: | 2005-04-20 |
| 公开(公告)号: | CN1961407A | 公开(公告)日: | 2007-05-09 |
| 发明(设计)人: | 小林满;安田雅彦 | 申请(专利权)人: | 尼康股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F9/00 |
| 代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 能依各测量对象设定所欲测量条件,且能以高速进行高精度测量。在曝光装置的对准感测器对复数个取样照射区域进行位置测量时,是根据所测量的轴方向、根据标记、或根据所测量标记存在的层改变测量条件来进行测量。此时,以同一测量条件进行测量的测量对象,例如于Y轴方向的位置或于X轴方向的位置等是连续进行测量。又,在切换测量条件时再次测量基线量。可切换的测量条件,为测量光的波长、相位差板的使用及选择、光学系统的NA及σ、测量光的光量、照明形状、以及讯号处理算式等。 | ||
| 搜索关键词: | 曝光 装置 方法 以及 元件 制造 | ||
【主权项】:
1.一种测量方法,是使用测量系统,来测量形成于既定基板上且作为被测量对象的复数个第1标记、以及与该第1标记相异的复数个第2标记,其特征在于,包含:第1步骤,是在测量该既定基板上作为该被测量对象的该标记中的该复数个第1标记时,将该测量系统的测量条件设定成第1条件;第2步骤,是在该第1条件下测量该既定基板上的所有该第1标记后,将该测量条件从该第1条件切换设定成第2条件;以及第3步骤,是在该第2条件下,测量该既定基板上作为该被测量对象的该标记中的所有该复数个第2标记。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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