[发明专利]曝光装置及曝光方法、以及元件制造方法有效

专利信息
申请号: 200580017162.5 申请日: 2005-04-20
公开(公告)号: CN1961407A 公开(公告)日: 2007-05-09
发明(设计)人: 小林满;安田雅彦 申请(专利权)人: 尼康股份有限公司
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027;G03F9/00
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人: 寿宁
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 能依各测量对象设定所欲测量条件,且能以高速进行高精度测量。在曝光装置的对准感测器对复数个取样照射区域进行位置测量时,是根据所测量的轴方向、根据标记、或根据所测量标记存在的层改变测量条件来进行测量。此时,以同一测量条件进行测量的测量对象,例如于Y轴方向的位置或于X轴方向的位置等是连续进行测量。又,在切换测量条件时再次测量基线量。可切换的测量条件,为测量光的波长、相位差板的使用及选择、光学系统的NA及σ、测量光的光量、照明形状、以及讯号处理算式等。
搜索关键词: 曝光 装置 方法 以及 元件 制造
【主权项】:
1.一种测量方法,是使用测量系统,来测量形成于既定基板上且作为被测量对象的复数个第1标记、以及与该第1标记相异的复数个第2标记,其特征在于,包含:第1步骤,是在测量该既定基板上作为该被测量对象的该标记中的该复数个第1标记时,将该测量系统的测量条件设定成第1条件;第2步骤,是在该第1条件下测量该既定基板上的所有该第1标记后,将该测量条件从该第1条件切换设定成第2条件;以及第3步骤,是在该第2条件下,测量该既定基板上作为该被测量对象的该标记中的所有该复数个第2标记。
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