[发明专利]导电性图案、电子器件的制造方法及电子器件有效
| 申请号： | 200580016541.2 | 申请日： | 2005-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN1957449A | 公开（公告）日： | 2007-05-02 |
| 发明（设计）人： | 中川彻 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L29/786;H01L21/3205;C23F1/02;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的制造方法包括将选自由用以下的[式1]表示的分子及用以下的[式2]表示的分子构成的组中的至少一种分子溶解了的溶液(12)配置于导电膜(13)上，由此在导电膜(13)的一部分形成所述至少一种分子的分子膜(16)的工序。[式1]CF3(CF2)n(CH2)mSH[n是处于3～7这一范围的自然数，m是处于8～18这一范围的自然数]。[式2]CF3(CF2)p(CH2)qSS(CH2) q′UB> p′CF3 [p及p’分别是独立地处于3～7这一范围的自然数，q及q’分别是独立地处于8～18这一范围的自然数]。接着，使导电膜(13)与导电膜(13)的蚀刻液接触，由此除去未形成分子膜(16)的部分的导电膜(13)。于是，形成导电性图案(17)。 | ||
| 搜索关键词： | 导电性 图案 电子器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种导电性图案的制造方法，包括：(i)将溶解有选自由用以下的式(1)表示的分子及用以下的式(2)表示的分子构成的组中的至少一种分子的溶液配置于导电膜上，由此在所述导电膜的一部分形成所述至少一种分子的分子膜的工序；(ii)使所述导电膜与所述导电膜的蚀刻液接触，由此除去未形成所述分子膜的部分的所述导电膜的工序，CF3(CF2)n(CH2)mSH ……(1)[n是处于3～7这一范围的自然数，m是处于8～18这一范围的自然数]CF3(CF2)p(CH2)qSS(CH2)q’(CF2)p’CF3 ……(2)[p及p’分别是独立地处于3～7这一范围的自然数，q及q’分别是独立地处于8～18这一范围的自然数]。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
