[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体晶体和其制造方法以及Ⅲ族氮化物半导体器件无效
| 申请号： | 200580016039.1 | 申请日： | 2005-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN1957117A | 公开（公告）日： | 2007-05-02 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木孝友;森勇介;吉村政志;川村史朗;中畑成二;弘田龙 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社;森勇介 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B11/06;H01L21/208;H01L33/00;H01S5/323 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王海川;樊卫民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种制造III族氮化物半导体晶体的方法，包括下列步骤：在反应器(1)中容纳至少含有III族金属元素和碱金属元素的合金(11)；向所述反应器(1)中导入含氮物质(14)；在其中所述合金(11)熔融的合金熔融液(13)中溶解含氮物质(14)；和生长III族氮化物半导体晶体(15)。由此可以提供吸收系数小的III族氮化物半导体晶体(15)，其高效制造方法，以及发光强度高的III族氮化物半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 晶体 制造 方法 以及 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种制造III族氮化物半导体晶体的方法，包括下列步骤：在反应器(1)中容纳至少含有III族金属元素和碱金属元素的合金(11)；向所述反应器(1)中导入含氮物质(14)；在其中所述合金(11)熔融的合金熔融液(13)中溶解含氮物质(14)；和生长III族氮化物半导体晶体(15)。
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