[发明专利]具有通过衬底的导电路径的MEMS器件有效
| 申请号： | 200580015730.8 | 申请日： | 2005-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN1953933A | 公开（公告）日： | 2007-04-25 |
| 发明（设计）人： | 基兰·P·哈尼;劳伦斯·E·费尔顿;托马斯·基兰·努南;苏珊·A·阿里;布鲁斯·瓦赫特曼 | 申请（专利权）人： | 模拟设备公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;黄启行 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种MEMS器件，具有至少一个从其衬底的顶面侧(具有MEMS结构)延伸至所述衬底的底面侧的导电路径。该至少一个导电路径贯穿所述衬底，以将底面侧与MEMS结构电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 通过 衬底 导电 路径 mems 器件 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS器件，包括：衬底，具有顶面侧和底面侧，所述顶面侧包括MEMS结构；以及至少一个导电路径，从所述MEMS结构至所述底面侧贯穿所述衬底，所述至少一个导电路径与所述MEMS结构集成，并且通过与所述MEMS结构基本相同的材料形成。
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