[发明专利]集成电路金属硅化物方法无效
| 申请号： | 200580014785.7 | 申请日： | 2005-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN1965403A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | 路炯平;岳多丰;刘小战;唐纳德·S·迈尔斯;兰斯·S·罗伯逊 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/336;H01L21/00;H01L21/84;H01L21/44 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方;刘国伟 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在MOS晶体管的源极及漏极区域(60)中形成含氟区域(70)。在所述含氟区域(70)与所述源极及漏极区域(60)上形成一金属层(90)。使所述金属层与下伏的含氟区域发生反应以形成一金属硅化物。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 金属硅 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于形成MOS晶体管的方法，其包括：在一半导体上形成一介电层；在所述介电层上形成一栅电极结构；将掺杂剂物质植入所述半导体中毗邻于所述栅电极结构处以形成源极及漏极区域；在所述源极及漏极区域中形成含氟区域；在所述源极及漏极区域和所述含氟区域上形成一金属层；及使所述金属层与所述下伏的含氟区域发生反应以在所述源极及漏极区域中形成金属硅化物区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
