[发明专利]用于半导体结构的电连接的形成方法

摘要

本发明包括用于形成与半导体结构相关联的电连接的方法。提供其上具有导电线的半导体衬底，该半导体衬底具有至少两个与该导电线相邻的扩散区。在扩散区上方形成图案化蚀刻停止层。图案化的蚀刻停止层具有一对贯穿其的开口，所述开口沿着基本与线的轴平行的行。在蚀刻停止层上形成绝缘材料。对该绝缘材料进行蚀刻以在绝缘材料内形成沟槽，并将开口从蚀刻停止层延伸到扩散区。沟槽的至少一部分直接在开口的上方并沿着线的轴延伸。在开口内和在沟槽内形成导电材料。

主权项

1.一种形成半导体结构的电连接的方法，包括：提供其上具有导电线且其中具有与该导电线相邻的一个或多个扩散区的半导体衬底，所述线沿着第一轴延伸；在上述一个或多个扩散区上形成图案化的层，该图案化的层具有多个在其中延伸的开口，至少一些开口顺着沿着基本上与第一轴平行的第二轴延伸的行并直接在上述扩散区中至少一个的上方；在该图案化的层上方形成电绝缘材料；对该电绝缘材料进行蚀刻，该蚀刻形成贯穿该电绝缘材料到达图案化的层的沟槽，且该蚀刻使至少一些开口沿着上述行向所述至少一个扩散区延伸，该蚀刻相对于图案化的层选择性地除去电绝缘材料，该沟槽的至少一部分直接在所述开口上方并沿着第二轴延伸；和在所述开口内并在所述沟槽内形成导电材料，该导电材料与所述至少一个扩散区电连接。