[发明专利]人造无定形半导体及其在太阳能电池中的应用无效
| 申请号: | 200580013925.9 | 申请日: | 2005-04-29 |
| 公开(公告)号: | CN1957478A | 公开(公告)日: | 2007-05-02 |
| 发明(设计)人: | 马丁·安德鲁·格林 | 申请(专利权)人: | 新南创新有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0264 | 分类号: | H01L31/0264;H01L29/15;H01L21/36 |
| 代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王琦;王珍仙 |
| 地址: | 澳大利亚新*** | 国省代码: | 澳大利亚;AU |
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| 摘要: | 本发明提供一种人造无定形半导体材料,和一种由该材料制成的结,该结具有多个结晶半导体材料量子点(23),其通过介电材料的基体或介电材料的薄层(21、22)大致均匀地分布以及规则地遍布于三维空间中。材料的形成过程为:首先形成介电材料的多个层,所述介电材料包括一种半导体材料的化合物;接着形成化学计量的介电材料的层(21)和半导体富裕介电材料的层(22)分别交替相叠的多个层。然后该材料被加热,促使量子点(23)通过介电材料,在三维空间中均匀地和规则地进行空间分布,而形成在介电材料的半导体富裕层中。材料的带隙和迁移率的确定是通过所选择的材料参数,包括量子点的尺寸、基体的成分、以及量子点的半导体材料,通过这样的选择,获得了所希望的参数。 | ||
| 搜索关键词: | 人造 无定形 半导体 及其 太阳能电池 中的 应用 | ||
【主权项】:
1.一种人造无定形半导体材料,其具有受控的带隙和迁移率,并包括多个结晶半导体材料量子点,所述量子点通过介电材料基体或介电材料薄层在三维空间上大致均匀地分布且规则地空间排开,其中,所述材料的带隙和迁移率通过选择材料参数来确定,所述参数包括所述量子点的尺寸、所述基体的组成及所述量子点的半导体材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





