[发明专利]在线后端处理中形成悬空传输线结构的方法无效
| 申请号： | 200580013452.2 | 申请日： | 2005-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN1947234A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | 阿尼尔·K.·奇恩萨肯迪;罗伯特·A.·格洛维斯;尤里·V.·特里迪亚科夫;库纳尔·威地;理查德·P.·沃朗特 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/4763 | 分类号： | H01L21/4763 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张浩 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 形成半导体器件的传输线结构(300)的方法包括在第一金属化层面之上形成层间介电层，除去一部分层间介电层和在通过除去一部分层间介电层形成的一个或多个空隙(308)内形成牺牲材料。在层间介电层之上形成的第二金属化层面中形成信号传输线(302)，信号传输线(302)处在牺牲材料之上。除去包括在第二金属化层面内的一部分介电材料，以便使牺牲材料暴露出来，其中，一部分牺牲材料是通过穿过信号传输线(302)形成的数个通道通孔(310)暴露出来的。除去牺牲材料，以便在信号传输线(302)下面形成气隙。 | ||
| 搜索关键词： | 在线 后端 处理 形成 悬空 传输线 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的线后端传输线结构(300)，包含：在第一金属化层面之上形成的层间介电层；在所述层间介电层中形成的一个或多个空隙(308)；和在第二金属化层面中形成的信号传输线(302)，所述信号传输线(302)处在所述一个或多个空隙(308)之上，所述信号传输线(302)进一步包括穿过其中形成的数个通道通孔(310)，以提供用于限定所述一个或多个空隙(308)的牺牲材料的除去通道，其中，所述一个或多个空隙(308)限定所述信号传输线(302)下面的气隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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