[发明专利]具有高击穿电压的半导体装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种高击穿电压半导体装置及其制造方法。根据本发明，在栅极电极图案的一部分中新配置一种绝缘间隔物，其能够通过自我对齐来替代执行中间绝缘膜、接触孔和掩模等的功能并简化装置的总体制造过程。因而，可以自然地减少装置制造所需的掩模数量。因此，制造商可以容易地避免因掩模数量增加而引起的各种问题。而且，可以最大程度地减少由于掩模未对齐而引起的每个单位图案的形态异常，并有效地缩小最终形成的装置的尺寸。

主权项

1.一种高击穿电压半导体装置，其包括：栅极电极图案，其一一间隔地形成于半导体衬底的作用区域中；沟道扩散层，其选择性地占据栅极电极图案之间的间隔下的一部分；源极扩散层，其位于每个栅极电极图案的两侧，并间隔地成对形成于沟道扩散层中；电阻降低-诱导层，其电性接触位于沟道扩散层中的每对源极扩散层并选择性地配置于沟道扩散层中；绝缘间隔物，其选择性地覆盖每个栅极电极图案的两个侧壁以使源极扩散层的一部分和电阻降低-诱导层的一部分可以选择性地暴露，并从每个栅极电极图案向上伸出；金属电极，其占据半导体衬底的上部以使每个绝缘间隔物可以暴露，电性接触通过绝缘间隔物暴露的源极扩散层和电阻降低-诱导层，并通过绝缘间隔物电性分割。