[发明专利]用于控制半导体衬底工艺腔室中气体流动的装置无效
| 申请号： | 200580011911.3 | 申请日： | 2005-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN1947221A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | 卡尔罗尔·贝拉;希晔·蔡;哈米德·塔瓦索利;岩·叶 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;C23C16/44;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于控制半导体衬底工艺腔室中处理区与排气口之间的气体流动的装置。该装置包括至少一节气门板，其支撑在该半导体工艺腔室中，并且至少部分限定衬底支撑基座的范围。该节气门板适于控制在该处理区与该排气口之间流动的至少一气流。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 控制 半导体 衬底 工艺 腔室中 气体 流动 装置 | ||
【主权项】：
1、一种用于控制半导体衬底工艺腔室中处理区与排气口之间的气流的装置，包括：至少一节气门板，其支撑在该半导体工艺腔室中，并设置为至少部分限定衬底支撑基座的范围，该节气门板适于控制在该处理区与该排气口之间流动的至少一气流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
