[发明专利]氮化物半导体元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200580011771.X | 申请日： | 2005-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN1943084A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 安杖尚美;横川俊哉;长谷川义晃 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化物半导体元件，是具备：具有上面及下面的基板(1)、和由基板(1)的上面支撑的半导体叠层构造(40)，基板(1)及半导体叠层构造(40)至少具有2个解理面的氮化物半导体元件。具备与2个解理面中的任意一个相接的至少一个解理引发构件(3)，解理引发构件(3)的与解理面平行的方向的尺寸小于基板(1)的上面的与解理面平行的方向的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体元件，具备具有上面及下面的基板、和由所述基板的上面支撑的半导体叠层构造，所述基板及半导体叠层构造至少具有2个解理面，其中，具备与所述2个解理面中的任意一个相接的至少一个解理引发构件，所述解理引发构件的与所述解理面平行的方向的尺寸小于所述基板的上面的与所述解理面平行的方向的尺寸。
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