[发明专利]形成具有金属的栅电极的方法有效
| 申请号： | 200580011653.9 | 申请日： | 2005-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN1947230A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | 奥路班密·O.·艾蒂图图;莱恩·M.·麦克尔森;凯瑟琳·C.·于;小罗伯特·E.·琼斯 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/4763 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张浩 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在一个实施例中，在衬底(10)之上形成栅极电介质层(18)，并在栅极电介质层(18)的部分上选择性淀积第一金属层(26)，其中形成第一种器件。不同于第一金属层(26)的第二金属层(28)形成于栅极电介质层(18)的暴露部分之上，其中形成第二种器件。由于第一和第二种器件与栅极电介质直接接触的金属不同，它们具有不同的功函数。在一个实施例中，第一金属层(26)的选择性淀积是通过原子层淀积法完成的，通过使用在栅极电介质层(18)上选择性形成的抑制剂层(24)，第一金属层(26)可以选择性地仅仅淀积在栅极电介质层(18)没有被抑制剂层(24)覆盖的部分上。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 具有 金属 电极 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造晶体管的方法，包括：在晶片第一区域的栅极电介质上而不在晶片第二区域的栅极电介质上选择性淀积第一金属层；在第二区域的栅极电介质之上淀积第二金属层；在第一区域中为第一晶体管形成第一栅电极叠层，第一栅电极叠层包括由第一金属层形成的结构；在第二区域中为第二晶体管形成第二栅电极叠层，第二栅电极叠层包括由第二金属层形成的结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
