[发明专利]自洁式催化化学蒸镀装置及其清洁方法有效
| 申请号: | 200580011103.7 | 申请日: | 2005-03-10 |
| 公开(公告)号: | CN1943014A | 公开(公告)日: | 2007-04-04 |
| 发明(设计)人: | 北添牧子;大园修司;伊藤博巳;斋藤一也;浅利伸 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
| 主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H01L21/3065;C23C16/44 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王健 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明提供不将催化体加热到2000℃以上,抑制清洁气引起的催化体腐蚀劣化,在低成本下进行实用的清洁速度和良好的清洁的自洁式催化化学蒸镀装置。使从加热电源6和该加热电源6的各端子6a、6b间向反应容器2内的催化体4通入恒电流的导线5a、5b与反应容器2为电绝缘的状态,在已排气的反应容器2内导入含有卤素元素的清洁气,通过从加热电源6通电加热催化体4,使通过该加热而生成的活性种与附着在反应容器2内的附着膜反应而除去附着膜,此时,从恒压电源8以适当的极性在加热电源6的导线5b上外加适当值的直流偏压。 | ||
| 搜索关键词: | 催化 化学 装置 及其 清洁 方法 | ||
【主权项】:
1.一种自洁式催化化学蒸镀装置,该装置是在可以真空排气的反应容器内利用电阻加热的催化体的催化作用形成薄膜的催化化学蒸镀装置,其特征在于:具备用于在上述催化体上外加偏压的电源和切换外加的偏压的极性的切换开关;基于导入的清洁气接触上述电阻加热的催化体而分解产生的自由基种、外加到上述催化体上的偏压和极性,在没有将催化体自身刻蚀的情况下,除去附着在上述反应容器内的附着膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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