[发明专利]离子化物理气相沉积(IPVD)工艺有效
| 申请号： | 200580009861.5 | 申请日： | 2005-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN1938449A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | 弗兰克·M·小切里奥;雅克·法戈特;布鲁斯·D·吉特莱曼;罗德尼·L·罗宾森 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李剑 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 设置iPVD系统(200)，用于将例如阻挡材料(912)的均一材料沉积在半导体衬底(21)上的高深宽比的纳米尺寸构件(11)中，所采用的工艺在真空室(30)内相对于表面(10)和底部(15)覆盖而增加了侧壁(16)覆盖，而使突悬(14)最小和消除。在低靶功率和＞50mT的高压下操作iPVD系统(200)，从而由靶溅射材料。将RF能量耦合到处理室中，从而形成高密度等离子体。为了提高覆盖特别是底部覆盖，可施加小RF偏压(仅数伏特)。 | ||
| 搜索关键词： | 离子化 物理 沉积 ipvd 工艺 | ||
【主权项】：
1.操作沉积系统的方法，包括：将图案化衬底置于处理室内的晶片台上；在所述处理室中生成高密度等离子体，其中所述高密度等离子体包含涂层材料离子和大量处理气体离子；使所述图案化衬底暴露于所述高密度等离子体中；进行低净沉积(LND)工艺，其中调节靶功率或衬底偏压功率或其组合来建立LND沉积速率，所述LND沉积速率包括所述图案化衬底表面区域上的超低沉积速率；和将材料沉积在所述图案化衬底的构件中，而在构件开口处基本上不形成材料突悬。
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