[发明专利]双极型半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200580009661.X | 申请日： | 2005-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN1938820A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | 中山浩二;菅原良孝;土田秀一;镰田功穗;三柳俊之;中村智宣 | 申请（专利权）人： | 关西电力株式会社;财团法人电力中央研究所 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/205;H01L21/302;H01L21/331;H01L21/336;H01L29/73;H01L29/74;H01L29/78;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄威;张金海 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种双极型半导体装置，通电时电子和空穴再结合区域的至少一部分，是由碳化硅基片表面生长的碳化硅外延层形成。在制造双极型半导体装置时，用氢腐蚀处理碳化硅基片的表面后，从该处理面上使碳化硅外延生长而形成上述的外延层。通过用化学机械研磨处理碳化硅基片的表面，然后用氢腐蚀处理，可进一步减少向外延层的基面位错的传播。 | ||
| 搜索关键词： | 双极型 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种双极型半导体装置，通电时电子和空穴再结合区域的至少一部分，是由碳化硅基片表面生长的碳化硅外延层形成，其特征在于：在上述碳化硅基片上，外延生长表面的表面粗度Rms为0.1～0.6nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
