[发明专利]用于制造薄膜晶体管的方法有效
申请号: | 200580009603.7 | 申请日: | 2005-03-15 |
公开(公告)号: | CN1934687A | 公开(公告)日: | 2007-03-21 |
发明(设计)人: | 森末将文;藤井严 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L21/288;H01L21/3205;H01L29/417;H01L29/786 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的是提供一种通过使用微滴排放方法以自对准的方式制造薄膜晶体管的方法,其不必考虑微滴排放装置的排放位置精度。根据本发明,可以采用有机树脂膜或类似物,并通过内腐蚀、曝光、显影等处理成为预定的形状。通过利用具有预定形状的有机树脂膜作为掩模,可以刻蚀掉含有一种导电类型杂质的半导体层。通过利用具有预定形状的有机树脂膜,可以对区域进行不同的润湿。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 薄膜晶体管 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于制造薄膜晶体管的方法,包括如下步骤:在具有绝缘表面的基片上形成栅电极层;在栅电极层上形成栅绝缘层;在栅绝缘层上形成第一半导体层;在第一半导体层上形成含有一种导电类型杂质的第二半导体层;在第二半导体层上形成第一掩模;利用第一掩模刻蚀第一半导体层和第二半导体层;除去第一掩模;在第二半导体层上形成第二掩模;利用第二掩模刻蚀第二半导体层的一部分,从而暴露第一半导体层的第一区;在第二掩模和第一半导体层的暴露区上施加一种溶液,从而向其提供第一润湿性;在施加该溶液之后除去第二掩模,从而暴露第二半导体层的第二区;和通过微滴排放方法在第二区上形成布线,其中第二区具有比第一润湿性更高的润湿性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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