[发明专利]具有等离子体源线圈的等离子体室及使用该等离子体室蚀刻晶片的方法

摘要

一种具有等离子体源线圈的等离子体室包括室体、等离子体源线圈和边缘衬套。该室体包括由侧壁、下围墙和上室顶限定的并且形成等离子体的反应空间。布置在该室顶上的等离子体源线圈包括对应于大于“2”的整数的M个单元线圈。该M个具有表示正整数的预定匝数“n”的单元线圈从处于中央部分的具有预定半径的中央衬套延伸，并沿着该中央衬套的圆周螺旋形地布置，从而在该反应空间中形成等离子体。边缘衬套布置在该室体的室顶与该等离子体源线圈之间，并配置成圆柱形的形式以与布置在该反应空间中的晶片的边缘重叠。

主权项

1.一种等离子体室，包括：室体，用于由侧壁、下围墙和上室顶来限定能够形成等离子体的反应空间；等离子体源线圈，布置在所述室顶上，包括布置成具有使用预定值n＝a×(b/m)(其中“a”和“b”都是正整数，而“m”表示对应于大于“2”的整数的单元线圈数目)计算的预定匝数“n”的单元线圈，允许所述单元线圈从处于中央部分的具有预定半径的中央衬套延伸，并且允许所述单元线圈沿着所述中央衬套的圆周螺旋形地布置，从而在所述反应空间中形成等离子体；以及圆柱形的边缘衬套，其布置在所述室体的室顶与所述等离子体源线圈之间，并且与设置在所述反应空间中的晶片的边缘重叠。