[发明专利]用于高介电常数含铪介电材料的原子层沉积的装置和方法

摘要

本发明的实施例提供用于在诸如原子层沉积(ALD)的气相沉积工艺期间在衬底上沉积介电材料的方法。在一实施例中，方法包括连续暴露衬底至铪前驱物和氧化气体以在其上含铪材料。在另一实施例中，通过连续暴露衬底至氧化气体和含有铪前驱物和硅前驱物的工艺气体中沉积硅酸铪材料。氧化气体含有通过氢源气体和氧源气体流经水蒸汽发生器所形成的水蒸汽。

主权项

1.一种用于在设置在工艺腔室内的衬底上形成含铪材料的方法，包括：暴露衬底至铪前驱物以在其上形成含铪层；用清洗气体清洗工艺腔室；暴露所述衬底至氧化气体以在其上形成铪氧化物材料，其中所述氧化气体含有通过氢源气体和氧源气体流经水蒸汽发生器所形成的水蒸汽；以及用清洗气体清洗工艺腔室。