[发明专利]半导体器件的制作方法及其制作的半导体器件有效
| 申请号： | 200580007554.3 | 申请日： | 2005-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN1930685A | 公开（公告）日： | 2007-03-14 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·P·瑞美尔;斯瑞拉姆·卡尔帕特;梅尔维·F·米勒尔;彼德·朱彻尔 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L29/76;H01L29/94;H01L31/119;H01L29/00;H01L21/8242;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制作半导体器件的方法包括下列步骤：提供其上形成有图形化互连层(120，520、1020、1620)的半导体衬底(110、510、1010、1610)；在图形化互连层上淀积第一介质材料(130、530、1030、1630)；在第一介质材料上淀积第一电极材料(140，540，1040，1640)；在第一电极材料上淀积第二介质材料(150、550、1050、1650)；在第二介质材料上淀积第二电极材料(160、560、1060、1660)；对第二电极材料进行图形化，以便形成第一电容器(210、710、1310、1615)的顶部电极(211、611、1111、1611)；以及对第一电极材料进行图形化，以便形成第二电容器(220、720、1320、1625)的顶部电极(221、721、1221、1621)，形成第一电容器的电极(212、712、1212、1612)，以及确定电阻器(230、730、1330)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 及其 制作 | ||
【主权项】：
1.一种制作半导体器件的方法，该方法包括：提供其上形成有图形化互连层的半导体衬底；在图形化互连层上淀积第一介质材料；在第一介质材料上淀积第一电极材料；在第一电极材料上淀积第二介质材料；在第二介质材料上淀积第二电极材料；对第二电极材料进行图形化，以便形成第一电容器的顶部电极；以及对第一电极材料进行图形化，以便形成第二电容器的电极，形成第一电容器的电极，以及确定电阻器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于飞思卡尔半导体公司，未经飞思卡尔半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580007554.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
