[发明专利]表面缺陷少的溅射靶及其表面加工方法有效
| 申请号： | 200580006773.X | 申请日： | 2005-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN1926260A | 公开（公告）日： | 2007-03-07 |
| 发明（设计）人： | 中村祐一郎;久野晃 | 申请（专利权）人： | 日矿金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;H01L21/285 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 樊卫民;郭国清 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及溅射靶的表面加工方法，其特征为，对在富含延展性的基质相中，金属间化合物、氧化物、碳化物、碳氮化物、其他没有延展性的物质存在的体积比为1～50％的靶表面，先通过切削进行粗加工，接着通过研磨进行精加工。本发明提供可以改善存在大量没有延展性物质的靶表面，防止或抑制溅射时结核或颗粒的产生的溅射靶的表面加工方法。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 缺陷 溅射 及其 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种表面缺陷少的溅射靶，其特征在于，在富含延展性的基质相中，金属间化合物、氧化物、碳化物、碳氮化物、其他没有延展性的物质存在的体积比为1～50％的靶表面上，不存在由于机械加工引起的10μm以上的缺陷。
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