[发明专利]抗蚀膜的剥离法和再造法无效
| 申请号： | 200580006516.6 | 申请日： | 2005-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN1926663A | 公开（公告）日： | 2007-03-07 |
| 发明（设计）人： | 芦垣繁雄;加藤良裕;广田良浩;村木雄介;川崎哲;志村悟 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/42;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供基板的加工方法，包括：在已经在基板上形成的待蚀刻的目标膜上依次形成Si－C基膜和抗蚀膜的步骤；利用抗蚀膜作为掩模蚀刻Si－C基膜的第一蚀刻步骤；和利用抗蚀膜和Si－C基膜作为掩模蚀刻待蚀刻的目标膜的第二蚀刻步骤。该加工方法进一步包括在所需时机剥离抗蚀膜的剥离步骤。剥离步骤包括制备作为脱模剂的有机溶剂的制备步骤，和在抗蚀膜上涂敷有机溶剂的涂敷步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 抗蚀膜 剥离 再造 | ||
【主权项】：
1.一种在已经于基板上形成的Si-C基膜上剥离抗蚀膜的方法，包括：制备作为脱模剂的有机溶剂的制备步骤，和将所述有机溶剂涂敷到抗蚀膜上的涂敷步骤。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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