[发明专利]读取NAND存储器以补偿存储元件之间的耦合效应的方法有效
| 申请号： | 200580006506.2 | 申请日： | 2005-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN1926635A | 公开（公告）日： | 2007-03-07 |
| 发明（设计）人： | 陈建 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于读取以列和行布置的非易失性存储器的方法，其减少邻近单元耦合效应(有时被称作Yupin效应)。所述方法包括以下步骤：在一字线WLn中选择一待读取的位；读取在字线WLn后写入的一邻近字线WLn+1；和通过选择性地调节至少一个读取参数来读取字线WLn中选定的位。在一个实施例中，所述读取参数是读出电压。在另一实施例中，所述读取参数是预充电电压。在另一实施例中，调节所述读出电压和所述预充电电压两者。 | ||
| 搜索关键词： | 读取 nand 存储器 补偿 存储 元件 之间 耦合 效应 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于读取以列和行布置的非易失性存储器的方法，其包含以下步骤：选择一待读取的字线WLn；读取一在字线WLn后写入的邻近字线(WLn+1)；和通过选择性地调节至少一个读取参数来读取字线WLn中选定的位。
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