[发明专利]编程非易失性存储器有效
| 申请号： | 200580006490.5 | 申请日： | 2005-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN1926637A | 公开（公告）日： | 2007-03-07 |
| 发明（设计）人： | 格特简·海民克;方玉品 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 对一组非易失性存储元件实施一个或一个以上编程操作。举例而言，所述编程操作可包括施加一组编程脉冲。实施一验证过程以确定所述非易失性存储元件中哪些已达到一中间验证阈值但尚未达到一最终验证阈值。在一降低的电平处对所述已达到所述中间验证阈值但未达到所述最终验证阈值的非易失性存储元件实施一个额外编程操作，然后禁止那些非易失性存储元件的进一步编程。尚未达到所述中间验证阈值的非易失性存储元件将继续编程。达到所述最终验证阈值的非易失性存储元件则被禁止编程。 | ||
| 搜索关键词： | 编程 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
1、一种用于对非易失性存储器进行编程的方法，其包括：对一非易失性存储元件实施一个或一个以上编程操作；确定所述非易失性存储元件已达到一中间验证阈值，所述中间验证阈值不同于一最终验证阈值；响应于所述确定步骤，以一降低的电平对所述非易失性存储元件实施仅一个额外编程操作；及无论所述非易失性存储元件的阈电压响应于所述一个额外编程操作发生如何变化，均在实施所述仅一个额外编程操作后禁止编程所述非易失性存储元件。
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