[发明专利]利用碳纳米管复合互连通路的集成电路芯片有效
| 申请号： | 200580006332.X | 申请日： | 2005-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN1926680A | 公开（公告）日： | 2007-03-07 |
| 发明（设计）人： | 古川俊治;马克·C·哈基;戴维·V·霍雷克;查尔斯·W·科伯格三世;马克·E·马斯特斯;彼得·米切尔;斯坦尼斯拉夫·波朗斯基 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 利用埋置于导电金属中的多个无差别碳纳米管形成集成电路中的导电路径，该导电金属优选为铜。优选地，导电路径包括在导电层之间延伸的通路。优选地，通过在通路位置处在导体上形成金属催化剂垫，沉积并蚀刻电介质层从而形成凹部，在凹部中在催化剂上生长基本平行的碳纳米管，以及用铜填充凹部中的剩余空隙，来形成复合通路。然后在通孔上形成下一导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 纳米 复合 互连 通路 集成电路 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路芯片，包括：多个有源器件，形成在衬底上；多个电导体，在一个或多个导电层中用于提供到所述多个有源器件的电连接；以及多个导电通路，每个通路将各第一导电层中的各第一电导体与以下物质构成的组中的至少一个电连接：(a)各第二导电层中的各第二电导体，每个所述各第二导电层通过电介质层与所述各第一导电层分隔开，和(b)形成在所述衬底上的所述多个有源器件的各有源器件，所述多个有源器件通过电介质层与所述各第一导电层分隔开；其中每个所述导电通路包括埋置于导电金属中的多个碳纳米管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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