[发明专利]增强铈搀杂正硅酸钇镥晶体性能的方法及通过该方法生产的晶体有效
| 申请号： | 200580006294.8 | 申请日： | 2005-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN1926218A | 公开（公告）日： | 2007-03-07 |
| 发明（设计）人： | B·柴 | 申请（专利权）人： | 克利斯托光子学公司 |
| 主分类号： | C09K11/79 | 分类号： | C09K11/79;G01T1/202;C09K11/08 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 蔡胜有 |
| 地址： | 美国佛*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 增强铈搀杂正硅酸钇镥(LYSO)单晶体响应高能辐照的光输出的方法，包括通过在含氧环境中加热晶体一段时间将氧扩散到晶体中。这种晶体的热氧化方法可有效提供氧填充LYSO单晶体中的至少一些氧空位。闪烁检测器包含通过在晶体中扩散氧增强的LYSO单晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 搀杂 硅酸 晶体 性能 方法 通过 生产 | ||
【主权项】：
1.增强铈搀杂正硅酸钇镥(LYSO)单晶体响应高能辐照的性能的方法，该方法包括：通过在含氧环境中加热LYSO单晶体一段时间将氧扩散到LYSO单晶体中。
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