[发明专利]多并苯化合物及有机半导体薄膜有效
| 申请号： | 200580006061.8 | 申请日： | 2005-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN1922123A | 公开（公告）日： | 2007-02-28 |
| 发明（设计）人： | 长田一人;成田吉德;烧山正敏 | 申请（专利权）人： | 旭化成株式会社 |
| 主分类号： | C07C25/22 | 分类号： | C07C25/22;C07C17/16;C07C35/44;C07D317/70;H01L51/00;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 陈昕 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有高移动度并且对溶剂的溶解性及耐氧化性优良的有机半导体材料。另外，还提供具有高移动度的有机半导体薄膜，以及电子特性优良的有机半导体元件。作为源·漏电极，在形成金电极图案的硅基板上，形成了在6、13位导入卤基，在2，3，9，10位导入脂肪族烃基的戊省化合物薄膜，作为晶体管结构。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 有机半导体 薄膜 | ||
【主权项】：
1.多并苯化合物，其特征在于，具有以下列化学式(I)表示的化学结构：其中，化学式(I)中的R1、R2、R3、R4的至少一部分为烷基、烯基、炔基等脂肪烃基、芳基、烷氧基、芳氧基、酰基、酯基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、羧基、甲酰基、羟基、卤基、氨基、亚氨基、酰胺基、氰基、甲硅烷基、巯基、硫基、二硫基、磺酰基或含有这些基中的2种以上基团的官能基，其他为氢原子；另外，化学式(I)中的多个X的一部分为卤基，其他为氢原子；还有，k为1以上5以下的整数。
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