[发明专利]制备用于半导体元件的互连的方法有效

专利信息
申请号: 200580005360.X 申请日: 2005-02-18
公开(公告)号: CN1922726A 公开(公告)日: 2007-02-28
发明(设计)人: K·K·柯比;孟双;G·J·德尔德里安 申请(专利权)人: 微米技术有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 谭祐祥
地址: 美国爱*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 在一个方面中,本发明包括制备用于半导体元件互连的方法。提供了半导体衬底,并且开口(212)形成为完全地延伸穿过衬底。在小于或等于大约200℃的温度下,沿着开口侧壁(218)来沉积上第一材料(220)。这种沉积可包括原子层沉积和化学气相沉积中的一种或两种,并且第一材料可包括金属氮化物。焊料可润湿的材料(224)形成于第一材料的表面之上。例如,焊料可润湿的材料可包括镍。随后,将焊料(240)提供至该开口中和该焊料可润湿的材料之上。
搜索关键词: 制备 用于 半导体 元件 互连 方法
【主权项】:
1.一种制备用于半导体元件的互连的方法,包括:提供半导体元件;形成完全地延伸穿过所述元件的开口,所述开口具有侧壁;沿着所述开口的侧壁来沉积第一材料,所述沉积在小于或等于大约200℃的温度下进行;和将第二材料镀在所述开口中并镀在所述第一材料之上。
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