[发明专利]双轴取向聚酯薄膜有效
| 申请号： | 200580005239.7 | 申请日： | 2005-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN1922244A | 公开（公告）日： | 2007-02-28 |
| 发明（设计）人： | 小林淳;西垣泰男 | 申请（专利权）人： | 东丽株式会社 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;B32B27/36;B29C55/12;G11B5/73;C08L67/02;B29K67/00;B29L7/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的双轴取向聚酯薄膜是薄膜厚度方向的显微喇曼结晶化指数Ic为8cm－1～15cm－1，Ic的最大值与最小值的差为1cm－1以下的双轴取向聚酯薄膜。本发明的另一种双轴取向聚酯薄膜，是在100℃施加24小时的热处理的聚酯薄膜的至少一个面的宽度方向上的空间频率(1/mm)的相对功率I10TD为－25～0dB的双轴取向聚酯薄膜。本发明的双轴取向聚酯薄膜是在高温保管、加工时的热负荷后微小平面性也良好的薄膜。本发明的双轴取向聚酯薄膜作为在磁记录材料、电子材料、制版薄膜、升华型色带、包装材料中使用的聚酯薄膜是有用的。特别地，本发明的双轴取向聚酯薄膜是作为高密度磁记录介质、特别是线性记录方式的复层金属涂布型数字记录介质用的基膜使用时很有用的双轴取向聚酯薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 取向 聚酯 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种双轴取向聚酯薄膜，薄膜厚度方向的显微喇曼结晶化指数Ic为8cm-1～15cm-1，Ic的最大值与最小值的差为1cm-1以下。
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