[发明专利]可选式双位置磁控管有效

专利信息
申请号: 200580003829.6 申请日: 2005-03-15
公开(公告)号: CN1914351A 公开(公告)日: 2007-02-14
发明(设计)人: 则-敬·巩;宏·S·杨;阿纳赛·K·萨拉梅尼;莫里斯·E·尤尔特;基思·A·米勒;文森特·E·伯克哈特 申请(专利权)人: 应用材料股份有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人: 徐金国;梁挥
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明提供一种可绕一溅射靶材(16)后方的一中心轴(60)旋转的双位置磁控管(50),尤其用于将一阻挡材料的靶材的一边缘溅射在一晶片(18)上,并清洁再沉积在靶材中心处的材料。在靶材清洁期间,晶片偏压会被降低。在一实施例中,一弧形磁控管(130)支撑于一枢转臂(90),而该臂枢转于一固定至该旋转轴杆(62)的撑座(82)的一端。一弹簧(96)可偏压该枢转臂,以使该磁控管受迫移向该靶材中心上方。离心力于增加转速时会克服该弹簧偏压,并将该磁控管转移至一外侧位置,使长磁控管尺寸段对齐靶材边缘。机械阻挡物(100,102)可避免在任一方向的过量移动。其它机构则包括线性滑动件(180)以及致动器(208)。
搜索关键词: 可选 位置 磁控管
【主权项】:
1.一种在一等离子溅射反应器中溅射的方法,该等离子溅射反应器绕一中心轴配置且具有一与一基座相对的靶材,该基座可支撑一欲溅射涂覆该靶材的一材料的基材,而该方法至少包含下述步骤:一第一步骤,以一第一半径绕该中心轴旋转一套叠不平衡的磁控管,以将沉积材料溅射于该基材的开孔中;以及一第二步骤,以一小于该第一半径的第二半径绕该中心轴旋转该磁控管,以清洁该第一步骤中来自该靶材且沉积其上的材料。
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