[发明专利]开关式电源和半导体集成电路有效

专利信息
申请号: 200580003514.1 申请日: 2005-01-14
公开(公告)号: CN1914787A 公开(公告)日: 2007-02-14
发明(设计)人: 细川恭一;工藤良太郎;长泽俊夫;立野孝治 申请(专利权)人: 株式会社瑞萨科技
主分类号: H02M3/155 分类号: H02M3/155;H01L21/822;H01L21/8234;H01L27/04;H01L27/088;H03K17/687
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 张浩
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种开关式电源和半导体集成电路,即使当电源电压VDD为低电压时,其也能够获得高电位侧开关元件M1的足够的驱动电压。在控制电流通过开关元件流入感应器的开关式电源中,开关元件响应PWM信号执行开关操作,并通过与感应器串联提供的电容器形成输出电压,在开关元件的输出节点与预定电压端之间提供由自举电容和MOSFET构成的升压器电路,升高的电压用作开关元件的驱动电路的工作电压,源极和漏极区域中的另一个与衬底栅极彼此连接,使得在MOSFET呈OFF状态时,在源极和漏极区域之一与衬底栅极之间的结型二极管相对于由自举电容形成的升高电压被反向定向。
搜索关键词: 开关 电源 半导体 集成电路
【主权项】:
1.一种开关式电源,包括:感应器;电容器,与感应器串联设置并形成输出电压;开关元件,用于基于输入电压控制流入感应器的电流;元件,当开关元件呈OFF状态时,用于将与形成感应器的输出电压的端子不同的另一端子箝位在预定的电位;驱动电路,用于驱动开关元件;升压器电路,包括自举电容和MOSFET,并使用升高的电压作为驱动电路的工作电压,自举电容的一端连接到开关元件的输出节点,MOSFET的源漏极布线连接在自举电容的另一端与外部电源端子之间;电平移位电路,形成开关控制信号,当元件处于导电状态时允许MOSFET呈ON状态,在元件没有处于导电状态时允许MOSFET呈OFF状态;PWM控制电路,形成PWM信号并通过驱动电路控制开关元件的操作;其中上述MOSFET被配置为连接源极和漏极区域中的另一个与衬底栅极,使得当MOSFET对应于PWM信号呈OFF状态时,在源极和漏极区域之一与衬底栅极之间的结型二极管相对于使用自举电容形成的升高的电压被反向定向。
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