[发明专利]半导体器件、电视机及其制造方法有效
| 申请号： | 200580003172.3 | 申请日： | 2005-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN1998086A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;小路博信;荒井康行 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王庆海;刘宗杰 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供用于以容易的工艺制造具有膜图案如绝缘膜、半导体膜或导电膜的衬底的方法，且进一步地，提供具有高生产量或者以低成本生产的半导体器件和电视机及其制造方法。本发明的一个特征在于通过微滴泄放方法形成第一膜图案，将光敏材料泄放或涂敷到第一膜图案上，通过用激光束照射第一膜图案和光敏材料交叠的区域并通过显影来形成掩模图案，和通过使用掩模图案作为掩模蚀刻第一膜图案来形成具有希望形状的第二膜图案。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 电视机 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括步骤：通过使用微滴泄放方法泄放导电材料来形成第一膜图案；在第一膜图案上方形成第一光敏材料；通过用激光束照射第一膜图案和第一光敏材料相交叠的区域并通过显影来形成第一掩模图案；通过使用第一掩模图案作为掩模蚀刻第一膜图案来形成具有所需形状的栅电极；在栅电极上方形成绝缘膜和半导体膜；在半导体膜上方形成第二光敏材料；通过用激光束照射第二光敏材料并通过显影来形成第二掩模图案；通过使用第二掩模图案作为掩模蚀刻半导体膜来形成具有希望图案的半导体区；和形成源电极和漏电极以与半导体区接触。
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