[发明专利]压电陶瓷组合物无效
| 申请号: | 200580001844.7 | 申请日: | 2005-01-19 |
| 公开(公告)号: | CN1953947A | 公开(公告)日: | 2007-04-25 |
| 发明(设计)人: | 早野修二;藤永辉明;和田隆博 | 申请(专利权)人: | 株式会社IAI;早野修二 |
| 主分类号: | C04B35/493 | 分类号: | C04B35/493;H01L41/187 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 包于俊 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 首先,使晶系为与作为正方晶和菱形晶的混合区域的混晶区域接近的菱形晶区域,由此使振动振幅(ξ)提高的压电陶瓷组合物。此外,通过使平均结晶粒径在5μm以下,由此使振动振幅(ξ)提高的压电陶瓷组合物。此外,作为钙钛矿型氧化物的、基于置换元素的摩尔比的组成式以Pb1-yXy(Mn1/3M2/3)aZrbTicO3表示并将其作为基本组成、以通式ABO3表示的氧化物压电陶瓷组合物,上述X包含钙(Ca)、锶(Sr)中至少1种,上述M包含锑(Sb)、铌(Nb)、钽(Ta)中至少1种,y在0.01≤y≤0.07的范围内,a、b、c分别在0.01≤a≤0.15、0.38≤b≤0.60、0.38≤c≤0.60的范围内,而且a+b+c=1.0,由此使振动振幅(ξ)提高。 | ||
| 搜索关键词: | 压电 陶瓷 组合 | ||
【主权项】:
1.压电陶瓷组合物,其特征在于,晶系为与作为正方晶和菱形晶的混合区域的混晶区域接近的菱形晶区域,由此使振动振幅(ξ)提高。
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