[发明专利]在直流(DC)源/漏区下面具有氧化物孔的区别性的绝缘体上硅(SOI)

摘要

一种选择性绝缘体上硅(SOI)结构，该结构具有用于所有器件的体接触(区)，而不包含直接地位于直流(DC)节点扩散区下面的埋置氧化物。这些节点，比如是施加电压Vdd，接地GND，参考电压Vref和其它类似设置的DC节点。本发明的选择性SOI结构能够用于集成电路(IC)，以增强电路的性能。本发明的选择性SOI结构包括绝缘体上硅(SOI)基片材料，该基片材料包括顶部含硅层，在顶部含硅层上具有多个SOI器件，SOI器件通过体接触区与底部含硅层接触。不包括下面的埋置氧化物区的DC节点扩散区与SOI器件之一邻接。

主权项

1.一种选择性绝缘体上硅(SOI)结构，该结构包括绝缘体上硅(SOI)基片材料和DC节点扩散区，该SOI基片材料包括顶部含硅层，所述顶部含硅层上有多个SOI器件，其中所述SOI器件通过体接触区与底部含硅基片接触；所述DC节点扩散区与所述SOI器件之一邻接，其中所述DC节点扩散区与所述含硅基片接触。