[发明专利]电平转换电路及具有该电平转换电路的半导体集成电路无效
| 申请号： | 200580001383.3 | 申请日： | 2005-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN1898870A | 公开（公告）日： | 2007-01-17 |
| 发明（设计）人： | 松下刚 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 季向冈 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在电平转换电路中，具有接收一对互补的输入信号的2个Nch晶体管Tn1、Tn2，和栅极端子相互交叉耦合(crosscouple)连接的2个Pch晶体管Tp1、Tp2。在该电平转换电路中，用电阻Tp3连接上述2个Nch晶体管Tn1、Tn2的漏极，即互相反相地动作的节点A、B。该电阻Tp3由Pch晶体管构成，其栅极接地，处于常合的状态。例如，当Nch晶体管Tn1导通而晶体管Tn2截止时，电流开始从高电位侧的节点A通过电阻Tp3流向低电位侧的节点B，低电位侧的节点B的电位上升。因此，与仅Pch晶体管Tp2导通时相比，促进了该节点B的电位上升。因而，能够以较少的元件数使电平转换电路高速工作。 | ||
| 搜索关键词： | 电平 转换 电路 具有 半导体 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种电平转换电路，其特征在于：包括源极与高电压电源连接的第1和第2P沟道晶体管，以及源极与接地连接的第1和第2N沟道晶体管；与来自低电源电压工作电路的输入信号同相位和反相位的互补的输入信号，分别连接到上述第1和第2N沟道晶体管的栅极；上述第1N沟道晶体管的漏极，与上述第1P沟道晶体管的漏极和上述第2P沟道晶体管的栅极连接，上述第2N沟道晶体管的漏极，与上述第2P沟道晶体管的漏极和上述第1P沟道晶体管的栅极连接；还具有连接上述第1N沟道晶体管的漏极和上述第2N沟道晶体管的漏极的电阻；上述第2N沟道晶体管的漏极，成为对高电源电压工作电路的输出端子。
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