[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200580000956.0 | 申请日： | 2005-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN1842919A | 公开（公告）日： | 2006-10-04 |
| 发明（设计）人： | 若松贞次;菊池亨;桥本征典;仓田敬臣;浅利伸;斋藤一也 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/318;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种在确保良好的生产性同时又具有优良特性和高可靠性的栅绝缘层的薄膜晶体管及其制造方法。本发明提供的薄膜晶体管，包括：在基板9上含有源区17、沟道区18、漏区19的有源层11，栅电极层16，以及在有源层11和栅电极层16之间所形成的栅绝缘层15的薄膜晶体管，栅绝缘层15由在有源层11一侧形成的第1氧化硅膜12、在栅电极层16一侧形成的第2氧化硅膜14，和在第1氧化硅膜12与第2氧化硅膜14之间形成的氮化硅膜13而形成。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，具有在基板上的包含源区、漏区、沟道区的有源层、栅电极层以及在上述有源层和栅电极层之间所形成的栅绝缘层的薄膜晶体管，其特征在于：上述栅电极层包括与上述有源层相接触而形成的第1氧化硅膜和在该第1氧化硅膜与上述栅电极层之间、与上述第1氧化硅膜相接触而形成的氮化硅膜。
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