[发明专利]气体密封用盖子、气体密封用盖子的制造方法、和电子部件收容用封装件无效

专利信息
申请号: 200580000758.4 申请日: 2005-09-26
公开(公告)号: CN1842912A 公开(公告)日: 2006-10-04
发明(设计)人: 山本雅春;高野健二;平纯司 申请(专利权)人: 株式会社新王材料
主分类号: H01L23/02 分类号: H01L23/02
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 可以得到抑制电子部件(20)的特性劣化,降低材料成本,并且可以使用不含Pb的钎焊料,而且,能够抑制气密性降低的气体密封用盖子(1)。此一气体密封用盖子具有低热膨胀层(2)、在低热膨胀层的表面上形成的、含有扩散促进料的以Ni为主要成分的Ni-Co合金层(3)、在Ni-Co合金层的表面上形成的Ni层(4)、以及在Ni层的表面上的电子部件收容体(10)被接合的区域上形成的以Sn为主要成分的钎焊料层(5)。Ni层具有在大约235℃(第一温度)下抑制Ni-Co合金层扩散到钎焊料层、并且钎焊料层在大约300℃~320℃(第二温度)下与电子部件收容体进行接合之际Ni-Co合金层经由Ni层扩散到钎焊料层的功能。
搜索关键词: 气体 密封 盖子 制造 方法 电子 部件 收容 封装
【主权项】:
1.一种气体密封用盖子,是用于包括用来收容电子部件(20)的电子部件收容体(10)的电子部件收容用封装件的气体密封用盖子(1),其特征在于,具有:基件(2);在所述基件的表面上形成,含有扩散促进材料的以Ni为主要成分第一层(3);在所述第一层的表面上所形成的第二层(4);以及在所述第二层的表面上的所述电子部件收容体被接合的区域上所形成的以Sn为主要成分的钎焊料层(5),所述第二层,具有如下的功能:抑制所述第一层在第一温度下扩散到所述钎焊料层,并且在高于所述第一温度的第二温度下所述钎焊料层与所述电子部件收容体进行接合之际,使所述第一层经由所述第二层扩散到所述钎焊料层。
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