[发明专利]掩模版用透光性基板的制造方法、掩模版的制造方法、曝光用掩模的制造方法、半导体装置的制造方法以及液晶显示装置的制造方法以及曝光用掩模的缺陷修正方法无效
| 申请号: | 200580000745.7 | 申请日: | 2005-06-22 |
| 公开(公告)号: | CN1839350A | 公开(公告)日: | 2006-09-27 |
| 发明(设计)人: | 田边胜;三井胜 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
| 主分类号: | G03F1/08 | 分类号: | G03F1/08;H01L21/027 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 杜日新 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 提供一种通过修正透光性基板表面上的凹陷缺陷来防止产生复制图形缺陷及掩模图形缺陷的掩模版用透光性基板、掩模版以及曝光用掩模的制造方法、以及曝光用掩模的缺陷修正方法。在透光性基板1上形成构成复制图形的掩模图形2的曝光用掩模上,用针状件4去除尚未形成掩模图形2的基板表面1a上的足以引起产生复制图形缺陷的透光量下降的凹陷缺陷3的周边部分,实施减少基板表面与凹陷缺陷的深度之间的阶差的修正。此外,在透光性基板上形成掩模图形形成用的薄膜之前的阶段内进行上述凹陷缺陷修正。使用实施了凹陷缺陷修正的透光性基板制造出掩模版、曝光用掩模。 | ||
| 搜索关键词: | 模版 透光 性基板 制造 方法 曝光 用掩模 半导体 装置 以及 液晶 显示装置 缺陷 修正 | ||
【主权项】:
1、一种作为曝光用掩模原版的掩模版用透光性基板的制造方法,其特征在于:确定存在于形成构成透光性基板表面的复制图形的掩模图形的掩模图形成区域内,其深度足以引起产生复制图形缺陷的透光量下降的凹状形缺陷部,为了通过抑制透光量的下降来防止产生复制图形缺陷,通过去除已确定的上述缺陷区的周边部分来减少上述基板表面和上述缺陷部间的深度方面的阶差。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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