[发明专利]光探测元件及其操作方法有效
| 申请号: | 200580000741.9 | 申请日: | 2005-03-17 |
| 公开(公告)号: | CN1839484A | 公开(公告)日: | 2006-09-27 |
| 发明(设计)人: | 桥本裕介;高田裕司;栗原史和;常定扶美 | 申请(专利权)人: | 松下电工株式会社 |
| 主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/113;H01L31/02;G01S17/36 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 一种包括包含阱区31元件形成层22的光探测元件1。表面电极25形成于绝缘层24上方的所述层22上。所述区31包含电子保持区32。所述区32包含空穴保持区33。所述层24包含通过层24面对区33的控制电极26。电子和空穴产生于层22。存在两个选定状态。在一个状态中,通过控制施加到电极25、26的各个电势,在区32收集电子,同时在区33收集空穴。在另一个状态中,激励电子和空穴之间的复合。在复合之后,剩余的电子被检出以作为接收的光输出。 | ||
| 搜索关键词: | 探测 元件 及其 操作方法 | ||
【主权项】:
1.一种在半导体器件内形成的光探测元件,所述光探测元件包括:用于接收从光源照射的光的光敏单元,所述光敏单元产生电子和空穴,其每种的数量随在所述光敏单元接收的光量而变化;具有分离控制电极的载流子分离单元,所述载流子分离单元根据施加到所述分离控制电极上的电势的控制来将在所述光敏单元产生的电子和空穴分离为目标载流子和非目标载流子,所述目标载流子是电子和空穴之一,所述非目标载流子是电子和空穴的另一个;具有复合控制电极的复合单元,所述复合单元根据控制施加到复合控制电极的电势,激励在所述光敏单元发光期间产生的目标载流子和在所述光敏单元消光期间产生的非目标载流子之间的复合,所述发光期间是所述光源的运行期间,所述消光期间是所述光源的熄灭期间;和输出单元,用于检出在所述复合单元复合之后剩余的目标载流子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





