[发明专利]晶片扩展装置、部件供给装置及晶片带的扩展方法

摘要

在利用加热吹风消除晶片带(8)上产生的松弛的松弛消除处理中，使晶片供给用托板(6w)位于第1高度位置(H3)和第2高度位置(H1)之间的高度位置(H2)。由此，能够缩小扩展环(63)的上端部(63a)和所述晶片带的下表面之间的距离(d)，能够进行有效且均匀的处理。此外，通过以至少在该松弛消除处理结束时，避免该晶片带和所述扩展环的上端部抵接的方式设定所述高度位置，能确实防止因与所述上端部的抵接而阻碍所述晶片带的收缩动作。

主权项

1.一种晶片扩展装置(12)，对保持晶片带(8)的晶片供给用托板(6w)进行所述晶片带的扩展，且所述晶片带上粘贴有对晶片(7)实施切割而形成的多个晶片供给部件(2w)，能够由所述晶片带供给所述各个晶片供给部件，具有：扩展环(63)，为环状部件，通过该环状的上端部(63a)相对地推压所述晶片带的下表面，使该晶片带大致放射状延伸，而进行所述扩展，托板升降装置(61、60、62及65)，能够保持配置在所述扩展环的上方的所述晶片供给用托板，通过使该保持的晶片供给用托板相对于所述扩展环相对下降而进行所述扩展，通过使该保持的晶片供给用托板相对地上升而解除该扩展，以及加热吹风装置(80)，通过从所述扩展环的内侧对被解除所述扩展的所述晶片带的下表面加热吹风，消除因该延伸而产生的该晶片带的松弛；所述托板升降装置，能够在第1高度位置(H3)、第2高度位置(H1)及第3高度位置(H2)各个升降高度位置上保持所述晶片供给用托板的配置状态，所述第1高度位置(H3)，是防止与所述扩展环的干涉的同时、供给及排出该晶片供给用托板的高度位置，所述第2高度位置(H1)，是对该晶片供给用托板进行所述扩展的高度位置，所述第3高度位置(H2)，是所述托板供给高度位置和所述第2高度位置之间的高度位置，所述第3高度位置(H2)是解除所述延伸、并且由所述加热吹风装置对所述晶片带消除所述松弛的高度位置，所述第3高度位置(H2)是在消除该松弛结束时能避免该晶片带和所述扩展环的上端部抵接的高度位置。