[发明专利]用于半导体器件的引线框架有效
| 申请号： | 200580000327.8 | 申请日： | 2005-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN1774803A | 公开（公告）日： | 2006-05-17 |
| 发明（设计）人： | 关和光;吉江崇;门崎幸一 | 申请（专利权）人： | 新光电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/50 | 分类号： | H01L23/50 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种用于半导体器件的Pd－PPF结构的引线框架，包括内引线和外引线，其中构成所述引线框架的衬底的整个表面或至少所述外引线具有复合镀层，所述复合镀层包括由在构成所述引线框架的所述衬底的所述整个表面上或在至少所述外引线上沉积的基于Ni的镀层构成的下层，在所述下层的上表面上沉积的厚度为0.005至0.01μm的Pd或Pd合金镀层，以及在所述Pd或Pd合金镀层的上表面上沉积的厚度为0.02至0.1μm的Au镀层。当通过利用无铅的基于Sn－Zn焊料或任何其它无铅焊料在封装衬底上安装半导体器件时，改善了所述引线框架与所述无铅的基于Sn－Zn的焊料或任何其它无铅焊料之间的润湿性，从而改善了所述半导体器件的封装特性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 引线 框架 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体器件的引线框架，包括内引线和外引线，其中构成所述引线框架的衬底的整个表面或至少所述外引线具有在其上施加的复合镀层，所述复合镀层包括由在构成所述引线框架的所述衬底的所述整个表面上或在至少所述外引线上沉积的基于Ni的镀层构成的下层，在所述下层的上表面上沉积的厚度为0.005至0.01μm的Pd或Pd合金镀层，以及进一步在所述Pd或Pd合金镀层的上表面上沉积的厚度为0.02至0.1μm的Au镀层。
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