[实用新型]集成电路芯片上的I/O电路浮动电阻无效
| 申请号： | 200520126812.7 | 申请日： | 2005-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN2881960Y | 公开（公告）日： | 2007-03-21 |
| 发明（设计）人： | 徐平 | 申请（专利权）人： | 徐平 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/64 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 | 代理人： | 张松亭;潘国庆 |
| 地址： | 361005福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型集成电路芯片上的I/O电路浮动电阻，涉及一种用CMOS工艺在集成电路芯片上集成的多个I/O电路浮动电阻。本实用新型每一个浮动电阻具有一个多晶硅电阻；该多晶硅电阻的两端并联一只P型场效应管和一只N型场效应管，其中该多晶硅电阻的电压恒定端连接上述两只场效应管的漏极，该多晶硅电阻的电压变动端连接上述两只场效应管的源极；P型场效应管的栅极接地，N型场效应管的栅极接一个电压恒定的控制电源的电压输出端。解决多晶硅浮动电阻精度低，同一种集成电路芯片有几种不同I/O电路阻抗的品种时需要单独设计制造，产品成本高的问题。本实用新型的浮动电阻寄生电容小，适合工作在高速I/O上。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 芯片 电路 浮动 电阻 | ||
【主权项】：
1.集成电路芯片上的I/O电路浮动电阻，每一个浮动电阻具有一个多晶硅电阻；其特征在于：该多晶硅电阻的两端并联一只P型场效应管和一只N型场效应管，其中该多晶硅电阻的电压恒定端连接上述两只场效应管的漏极，该多晶硅电阻的电压变动端连接上述两只场效应管的源极；P型场效应管的栅极接地，N型场效应管的栅极接一个电压恒定的控制电源的电压输出端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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