[实用新型]化成充、放电机无效
| 申请号: | 200520118920.X | 申请日: | 2005-09-14 |
| 公开(公告)号: | CN2879502Y | 公开(公告)日: | 2007-03-14 |
| 发明(设计)人: | 李开贵;封小平;梁惟干 | 申请(专利权)人: | 唯丰凯电源技术有限公司 |
| 主分类号: | H02J7/04 | 分类号: | H02J7/04;H02J7/10 |
| 代理公司: | 广州知友专利商标代理有限公司 | 代理人: | 马丽丽 |
| 地址: | 香港湾仔卢押道*** | 国省代码: | 中国香港;81 |
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| 摘要: | 本实用新型公开了一种化成充、放电机,其包括弱电控制部分和强电控制部分,所述的弱电控制部分采用了可控硅相控整流与绝缘栅双极型晶体管IGBT斩波调节相结合的控制方式,所述的强电部分采用了母/子结构控制方式。本实用新型采用可控硅相控整流与绝缘栅双极型晶体管IGBT斩波调节相结合的控制方式,完全克服了IGBT二次击穿及拖尾难题,其可靠性,稳压,稳流精度大幅提高,完全杜绝了充电时尖峰电流对电池的冲击;采用母/子结构控制方式,使一台本化成充、放电机相当于五台不同规格的充/放电机,生产效率明显提高,占地面积减少,设备利用率极高。并成功解决了快速无伤害充电的技术难题,用于电池内生极板化成充电,电池温升低、析气量少、产品质量稳定一致。 | ||
| 搜索关键词: | 化成 电机 | ||
【主权项】:
1.一种化成充、放电机,其包括弱电控制部分和强电控制部分,其特征在于:所述的弱电控制部分采用了可控硅相控整流与绝缘栅双极型晶体管IGBT斩波调节相结合的控制方式,该控制方式的电路构成为:A.B.C三相电源接熔断器RD1-RD3的一端,熔断器RD1-RD3的另一端接接触器KM6的输入端,输出端接隔离变压器B1的初级,隔离变压器B1次级的三相线圈电压接快速熔断器一端,快速熔断器另一端接可控硅RS1-RS6全控桥输入端,全控桥输出的300HZ直流电压正负端经连接线118~119号线接至接触器KM5的输入端,接触器KM5的输出端接至接触器KM1~KM4的输入端,其输出端连接至绝缘栅双极型晶体管IGBT1~IGBT5的集电极,绝缘栅双极型晶体管IGBT1~IGBT5的集电极、基极、发射极连接至接口PC1~PC5,接口PC1~PC5的接口由单片微处理器80C196及移相控制模块、脉宽调制PWM来调节模块控制,单片微处理器80C196接收来自母回路输出ED5及四路子回路输出ED1~ED4的输出电流I1~I5.电压V1~V5、温度T1-T5的反馈信号,经多路开关CD4067集成电路选择送至80C196KB微处理器高速输入口,经比较运算后,通过微处理器D/A口送至移相模块及PWM控制模块,形成5000-10000HZ的脉冲信号,分别调节可控硅全控桥RS1-RS6的移相角及IGBT1-IGPT5的脉冲宽度。
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