[实用新型]桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管无效
| 申请号： | 200520107535.5 | 申请日： | 2005-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN2805099Y | 公开（公告）日： | 2006-08-09 |
| 发明（设计）人： | 贾海强;李卫;李永康;彭铭曾;朱学亮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王凤华 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种可解决P电极和N电极边缘间发光损失的桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管，通过金属有机物化学气相沉积生长技术，在异质材料或双抛面蓝宝石衬底上生长氮化镓基LED的多层材料结构，经过光刻、淀积、刻蚀、蒸发、剥离等步骤制备，其结构包括：淀积在氮化镓基基片上的至少一片状P电极和至少两个N电极；N电极为呈点状分布于片状P电极之间的多个点状N电极；淀积在点状N电极之间的条状绝缘介质层；以及蒸镀在条状绝缘介质层上，并与相应N电极相连接的金属反射薄膜层。可以增加P型区面积，减小结电流密度，提高内、外量子效率，并且芯片有更高的饱和电流，大幅提高了倒装焊LED芯片的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 桥式 电极 氮化 镓基大 管芯 发光二极管 | ||
【主权项】：
1、一种桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管，包括：一氮化镓基基片；淀积在所述氮化镓基基片上的至少一片状P电极和至少两个N电极；其特征在于，所述N电极为呈点状分布于片状P电极之间的多个点状N电极；淀积在所述点状N电极之间的条状绝缘介质层；以及蒸镀在所述条状绝缘介质层上，并与相应N电极相连接的金属反射薄膜层。
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