[实用新型]一种IGBT噪声去除电路无效
申请号: | 200520102671.5 | 申请日: | 2005-06-03 |
公开(公告)号: | CN2794035Y | 公开(公告)日: | 2006-07-05 |
发明(设计)人: | 许晓华;季福生;李晓军 | 申请(专利权)人: | 许晓华 |
主分类号: | H03F1/26 | 分类号: | H03F1/26 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 322100*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种IGBT噪声去除电路,其高端驱动信号输入端与高端IGBT_H的基极之间设置一个由电阻R1和二极管D1构成的并联电路,其中高端驱动信号输入端与二极管D1的负极相连接;低端驱动信号输入端与低端IGBT_L是基极之间设置一个由电阻R2和二极管D2构成的并联电路,其中低端驱动信号输入端与二极管D1的负极相连接;高端IGBT_H的发射极与低端IGBT_L的集电极连接构成的桥壁反接二极管D3后接地。本实用新型元气件少配合到位,可以降低输入信号的干扰,去除电路中的电磁噪声,使得IGBT的驱动更加可靠,并且极大地降低了IGBT以及系统的电磁干扰等特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 igbt 噪声 去除 电路 | ||
【主权项】:
1.一种IGBT噪声去除电路,其特征在于:高端驱动信号输入端(1)与高端IGBT_H的基极之间设置一个由电阻R1和二极管D1构成的并联电路,其中高端驱动信号输入端(1)与二极管D1的负极相连接;低端驱动信号输入端(2)与低端IGBT_L是基极之间设置一个由电阻R2和二极管D2构成的并联电路,其中低端驱动信号输入端(2)与二极管D1的负极相连接;高端IGBT_H的发射极与低端IGBT_L的集电极连接构成的桥壁反接二极管D3后接地。
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