[实用新型]具新型浆层的晶体硅电池无效
| 申请号: | 200520069081.7 | 申请日: | 2005-02-05 |
| 公开(公告)号: | CN2772030Y | 公开(公告)日: | 2006-04-12 |
| 发明(设计)人: | 王玉亭 | 申请(专利权)人: | 江苏林洋新能源有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
| 代理公司: | 南通市科伟专利事务所 | 代理人: | 葛雷 |
| 地址: | 226200江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 本实用新型公开了一种具新型浆层的晶体硅电池,包括硅片,硅片背面设置浆层,浆层有铝浆层和银铝浆层,铝浆层呈纵横交错的方格线形式,银铝浆层呈多个小方块形,小方块两侧延伸出辐射状细线,辐射状细线与铝浆层重叠。本实用新型结构合理,有效减少了硅片的机械应力和热应力,使硅片的碎片率降低,且减少了银铝浆的使用量,降低了成本;硅片与欧姆的解除较大,有效提高了电池的填充因子;银铝浆与铝浆形成良好的接触,同时避免了银铝浆与铝过多的重叠,减少了起皮现象;克服了现有晶体硅电池存在的因丝网印刷误差而造成组件对不准的缺陷。 | ||
| 搜索关键词: | 新型 晶体 电池 | ||
【主权项】:
1、一种具新型浆层的晶体硅电池,包括硅片,硅片背面设置浆层,其特征是:浆层有铝浆层和银铝浆层,铝浆层呈纵横交错的方格线形式,银铝浆层呈多个小方块形,小方块两侧延伸出辐射状细线,辐射状细线与铝浆层重叠。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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