[实用新型]氮化镓基发光二极管芯片无效
| 申请号： | 200520062002.X | 申请日： | 2005-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN2849976Y | 公开（公告）日： | 2006-12-20 |
| 发明（设计）人： | 李炳乾;李炳田 | 申请（专利权）人： | 东莞市福地电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 东莞市中正知识产权事务所 | 代理人： | 鲁慧波 |
| 地址： | 523082广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种氮化镓基发光二极管芯片的产品结构。发光有源区3、P型接触层4和P型接触电极6分立阵列在N型接触层2上，N型接触电极7为网格结构，阵列的P型接触电极6和钝化隔离层8上有P电极加厚反射金属层9，通过倒装焊技术和管芯支撑体上的焊料凸块13，P电极加厚反射金属层9与管芯支撑体上P区连接电极层12连接，N电极加厚反射金属层14与管芯支撑体上N区连接电极层15连接；P区连接电极层12和N区连接电极层15设在管芯支撑体的绝缘隔离层11上，绝缘隔离层11位于高热导率的管芯支撑体衬底10上。本实用新型可有效改善电流扩散情况，提高发光效率，增加热传导，大幅度提高发光二极管芯片的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基发光二极管芯片，包括蓝宝石衬底(1)、N型接触层(2)、发光有源区(3)、P型接触层(4)、P型接触电极(6)和N型接触电极(7)，所述发光有源区(3)、P型接触层(4)、P型接触电极(6)层叠在一起，其特征在于：发光有源区(3)、P型接触层(4)和P型接触电极(6)分立阵列在N型接触层(2)上，阵列中的每一组发光有源区(3)、P型接触层(4)和P型接触电极(6)组成一个阵列单元，网格结构的N型接触电极(7)将每一阵列单元围在一个网格内，所述一系列阵列单元的N型接触电极(7)上除用于电气引出的部分覆盖有N电极加厚反射金属层(14)外，其余部分覆盖有钝化隔离层(8)，阵列的P型接触电极(6)和钝化隔离层(8)上有P电极加厚反射金属层(9)，通过倒装焊技术和管芯支撑体衬底(10)上的焊料凸块(13)，P电极加厚反射金属层(9)与管芯支撑体上P区连接电极层(12)连接，N电极加厚反射金属层(14)与管芯支撑体上N区连接电极层(15)连接；P区连接电极层(12)和N区连接电极层(15)设在管芯支撑体的绝缘隔离层(11)上，绝缘隔离层(11)位于高热导率的管芯支撑体衬底(10)上。
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