[实用新型]直流辉光等离子体气相沉积装置无效
| 申请号: | 200520045276.8 | 申请日: | 2005-09-23 |
| 公开(公告)号: | CN2844139Y | 公开(公告)日: | 2006-12-06 |
| 发明(设计)人: | 王应民;张萌;蔡莉;李禾;程国安;徐飞 | 申请(专利权)人: | 南昌大学 |
| 主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513 |
| 代理公司: | 江西省专利事务所 | 代理人: | 张文 |
| 地址: | 330047江西省南昌市南*** | 国省代码: | 江西;36 |
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| 摘要: | 本实用新型公开了一种直流辉光等离子体气相沉积装置,它包括真空反应罩、上进气管、下进气管、绝缘座,特征是在真空反应罩内的石英反应腔上方依次安装有冷却室、下气腔和上气腔,上、下出气管的上端分别伸在上、下气腔内,上出气管的下端穿过等离子体区,下出气管的出口在等离子体区的上方,两个气管呈均匀间隔排列,均垂直于石墨台;在石英反应腔两侧的阳极和阴极呈竖直方向并排对立;石墨台由与转动杆相连接的石英托板支撑,通过电动机带动石墨台转动,欲沉积薄膜的基片放在石墨台上表面的钽片上,在石墨台底部下方装有测温热电偶和高频加热器。本实用新型能在单晶硅或蓝宝石上生长出高度择优取向氧化锌薄膜,质量稳定,生长速率高。 | ||
| 搜索关键词: | 直流 辉光 等离子体 沉积 装置 | ||
【主权项】:
1、一种直流辉光等离子体气相沉积装置,包括真空反应罩(1)、上进气管(14)、下进气管(15)、绝缘座(19),其特征在于:在真空反应罩(1)内中间的绝缘座(19)上方安装有石英反应腔(18),在石英反应腔(18)上方安装有侧边连接了进水管(22)和出水管(23)的冷却室(11),在冷却室(11)上方依次安装有分别接有上进气管(14)、下进气管(15)的上气腔(12)、下气腔(13),上出气管(9)、下出气管(10)的上端分别伸在上气腔(12)、下气腔(13)内,下端穿过冷却室(11)伸入石英反应腔(18)内;在石英反应腔(18)的两侧分别安装有阳极(8)和由金属钽构成的阴极(17),阳极(8)和阴极(17)呈竖直方向并排对立,阳极(8)和阴极(17)通过外套有屏蔽管(4)的高压电极杆(2)分别与固定在石英反应腔(18)外的绝缘座(19)上的阳极座(24)和阴极座(25)相连接,在两极间加直流高压,阳极(8)和阴极(17)之间产生等离子体;在石英反应腔(18)的底部、上出气管(9)和下出气管(10)的正下方、等离子体区(16)的下方安装有石墨台(26),石墨台(26)由石英托板(3)支撑,转动杆(27)的顶端安装在石英托板(3)的下方,底端与固定在真空反应罩(1)下方的电动机(20)的输出轴连接;在石墨台(26)底部下方装有测温热电偶(21),石墨台(26)底部还安置有高频加热器(5),给石墨台(26)加热,石墨台(26)和高频加热器(5)呈水平放置且与阳极(8)和阴极(17)垂直。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





