[实用新型]制备铅的硫族化合物半导体单晶的装置无效
| 申请号： | 200520043839.X | 申请日： | 2005-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN2871563Y | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 张建成;吴汶海 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B23/00 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种制备铅的硫族化合物半导体单晶的装置，属半导体单晶制备工艺技术领域。本实用新型装置主要包括有外石英管2、内石英管4、立式加热炉10、滑轮11和马达12。外石英管2与底部敞开的内石英管4间焊有接合缝5，以固定内石英管4；外石英管2与底部为盛放原料的熔化反应区(7)；内石英管4的上部设有一收缩的狭细的管颈口1，该管颈口1上可放置一便能定向生长单晶的籽晶体；内石英管4的上部为一单晶生长形成区6；整个石英管总体放置于一四周设有加热元件的立式加热炉10内，立式加热炉上下部各设为低温区8和高温区9；外石英管2上部的收缩狭细管颈部连接有可使石英管总体提升移动的滑轮11及传动马达12。本装置可制备获得较大的铅的硫族化合物半导体单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 化合物 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1、一种制备铅的硫族化合物半导体单晶的装置，主要包括有外石英管(2)、内石英管(4)、立式加热炉(10)、滑轮(11)和马达(12)，其特征是外石英管(2)与底部敞开的内石英管(4)在外石英管(2)管壁处焊有接合缝(5)，以固定内石英管(4)；外石英管(2)底部为盛放有金属铅和硫族元素化学物质的熔化反应区(7)，其上部设有一收缩狭细的、便于抽真空的管颈口(3)；底部敞开的内石英管(4)的上部也设有一收缩的狭细的管颈口(1)，该管颈口(1)上放置一便于能定向生长单晶的籽晶体；内石英管(4)的上部为一单晶生长形成区(6)；整个石英管总体放置于一四周设有加热元件的立式加热炉(10)内，立式加热炉上下部各设为低温区(8)和高温区(9)；外石英管(2)上部的收缩狭细管颈部连接有可使石英管总体提升并取出炉外的滑轮(11)及传动马达(12)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海大学，未经上海大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200520043839.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种防盗报警的窨井装置
- 下一篇：一种筏板基础钢筋支撑架防水处理施工工艺
