[实用新型]消弧线圈阻尼电阻可控硅保护装置无效
申请号: | 200520043832.8 | 申请日: | 2005-07-28 |
公开(公告)号: | CN2814753Y | 公开(公告)日: | 2006-09-06 |
发明(设计)人: | 杨小强;王建忠 | 申请(专利权)人: | 上海思源电气股份有限公司 |
主分类号: | H02H3/16 | 分类号: | H02H3/16 |
代理公司: | 上海交达专利事务所 | 代理人: | 王锡麟;王桂忠 |
地址: | 201108上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种用于电气技术领域的消弧线圈阻尼电阻可控硅保护装置,包括:第一级保护可控硅T1、第二级保护可控硅T2、触发电流控制电阻R1~R4、电流互感器TA、阻尼电阻R,其特征在于,阻尼电阻R连接在消弧线圈的未端X和地之间,第一级保护可控硅T1并联在阻尼电阻R两端,触发电流控制电阻R1、R2连接在第一级保护可控硅T1触发端和阻尼电阻R两端;第二级保护可控硅T2并联在阻尼电阻R两端,触发电流控制电阻R3、R4连接在第二级保护可控硅T2触发端和阻尼电阻R两端;电流互感器TA串联在阻尼电阻R上。本实用新型不但动作速度快,没有机械动作,而且不需要电压引入,做到高、低压完全隔离,可靠性和性价比都具有较大的竞争优势,具有极高的应用价值。 | ||
搜索关键词: | 弧线 阻尼 电阻 可控硅 保护装置 | ||
【主权项】:
1、一种消弧线圈阻尼电阻可控硅保护装置,包括:电流互感器TA、阻尼电阻R,其特征在于,还包括:第一级保护可控硅T1、第二级保护可控硅T2、触发电流控制电阻R1~R4,阻尼电阻R连接在消弧线圈的未端X和地之间,第一级保护可控硅T1并联在阻尼电阻R两端,触发电流控制电阻R1、R2连接在第一级保护可控硅T1触发端和阻尼电阻R两端;第二级保护可控硅T2并联在阻尼电阻R两端,触发电流控制电阻R3、R4连接在第二级保护可控硅T2触发端和阻尼电阻R两端;电流互感器TA串联在阻尼电阻R上。
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