[实用新型]一种芯片内非易失性存储器仿真系统无效
| 申请号： | 200520042275.8 | 申请日： | 2005-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN2831248Y | 公开（公告）日： | 2006-10-25 |
| 发明（设计）人： | 许国泰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹集成电路有限责任公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203上海市张*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种芯片内非易失性存储器仿真系统，包括电池，通过电源接口和电池相连的SRAM，以及通过SRAM总线和SRAM相连的在线可编程的逻辑器件。仿真芯片无需片内非易失性存储器，该仿真系统通过总线与仿真芯片连结及通信。本实用新型可以在同一套硬件仿真系统上，无需更换仿真芯片，达到真实仿真不同类型或容量的片内非易失性存储器的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 非易失性存储器 仿真 系统 | ||
【主权项】：
1.一种芯片内非易失性存储器仿真系统，其特征在于，包括电池，通过电源接口和电池相连的SRAM，以及通过SRAM总线和SRAM相连的在线可编程逻辑器件。
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